IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
電子元器件有很多，比如電阻、電容、芯片、二極管和三極管等等。電子元器件的應(yīng)用領(lǐng)域也很廣外。那么，電子元器件的外觀質(zhì)量如何檢查呢？下面簡單總結(jié)幾種方法。
在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。
標簽：
MOSFET
功率半導(dǎo)體器件
入網(wǎng)時間：2022-01-25
制動單元主要用于控制機械負載比較重的、制動速度要求非?？斓膱龊?，將電機所產(chǎn)生的再生電能通過制動電阻消耗掉，或者是將再生電能反饋回電源。
逆變器的場效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，并且流過管子的電流很大，若管子選型不合適、驅(qū)動電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，均可導(dǎo)致場效應(yīng)管發(fā)熱。
標簽：
逆變器
場效應(yīng)管
入網(wǎng)時間：2022-01-14
mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
標簽：
MOS管
入網(wǎng)時間：2022-01-12