電磁爐IGBT管損壞原因分析

在電磁爐中，IGBT是一個(gè)損壞占有率很大的元器件，在沒有查明故障原因的時(shí)候就試機(jī)，會(huì)引起IGBT再次損壞。

1、電容故障

0.3UF電容失效，或漏電， 和400V電容容量變小的時(shí)候，將導(dǎo)致電磁爐，LC震蕩電路頻率偏高，從而引起IGBT損壞。經(jīng)檢查其他元件無問題的時(shí)候 ，更換0.3UF和400V電容。

2、IGBT管控制電路

激勵(lì)電路異常，震蕩電路輸出的脈沖信號(hào)，不能直接控制IGBT飽和，導(dǎo)通和截止，必須通過激勵(lì)脈沖信號(hào)放大來完成。如果激勵(lì)信號(hào)出現(xiàn)問題，高電壓就回加到IGBT管的G級(jí)，導(dǎo)致IGBT瞬間擊穿，損壞。

3、同步電路

同步電路異常，同步電路在電磁爐中的主要作用是保證加到IGBT管G級(jí)上的開關(guān)脈沖前言與IGBT管上VCE脈沖后延同步當(dāng)同步電路工作出現(xiàn)異樣，導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿。

4、18V工作電路

18V電壓異常，在電磁爐中18V電壓出現(xiàn)時(shí)，會(huì)使IGBT管激勵(lì)電路，風(fēng)扇散熱系統(tǒng)及LM339工作失常導(dǎo)致IGBT上電瞬間損壞。

5、散熱系統(tǒng)

散熱系統(tǒng)異常。電磁爐工作在大電流狀態(tài)下，其發(fā)熱量也大，如果散熱系統(tǒng)出現(xiàn)異常，會(huì)導(dǎo)致IGBT過熱損壞。

6、集成芯片

單片機(jī)異常，單片機(jī)內(nèi)部會(huì)因?yàn)楣ぷ黝l率異常而燒毀IGBT。

7、VCE檢測電路

VCE檢測電路異常，VCE檢測電磁爐將IGBT官集電極上的脈沖電壓通過，電阻分壓，取樣獲得去=取樣電壓，此電壓的信息變化傳到CPU，CPU監(jiān)測電壓的變化，做出各種相應(yīng)的指令，當(dāng)VCE檢測電路出現(xiàn)故障的時(shí)候，VEC脈沖幅度。超過IGBT管的極限值，從而導(dǎo)致IGBT損壞。用戶鍋具變形，或鍋低凸起不平，在鍋低產(chǎn)生的渦流，不能均勻的使變形的鍋具加熱，從而使鍋具溫度傳感器，檢溫失常，CPU因檢測不到，異常溫度信號(hào)，而繼續(xù)加熱，導(dǎo)致IGBT損壞。

8、用戶鍋具問題

用戶鍋具變形，或鍋低凸起不平，在鍋低產(chǎn)生的渦流不能均勻的使變形的鍋具加熱，從而使鍋具溫度傳感器，檢溫失常，CPU因檢測不到、異常溫度信號(hào)，而繼續(xù)加熱，導(dǎo)致IGBT損壞。

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