IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。
標簽：
IGBT
入網(wǎng)時間：2022-03-26
我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量，叫做電容器的電容。電容的符號是C。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路，能量轉換，控制電路等方面。
標簽：
電容器
入網(wǎng)時間：2022-03-25
眾所周知，硅晶圓是制造半導體器件和芯片的基本材料，而且在產(chǎn)業(yè)中扮演著舉足輕重的地位，可以說硅是當今最重要、應用最廣泛的半導體材料。
標簽：
硅晶圓
入網(wǎng)時間：2022-03-23
逆變器的場效應管工作于開關狀態(tài)，并且流過管子的電流很大，若管子選型不合適、驅動電壓幅度不夠大或電路的散熱不好，皆可導致場效應管發(fā)熱。
IC芯片的分類有存儲IC、邏輯IC、運放IC、電源IC、接口IC、保護IC、模擬IC、驅動IC、觸摸IC、射頻IC、穩(wěn)壓IC、升壓IC、開關IC、音頻IC、時鐘IC。
標簽：
IC芯片
入網(wǎng)時間：2022-03-18
在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。