本文將討論如何平衡上管 MOSFET (HS-FET) 和下管MOSFET (LS-FET) 的數(shù)量比，以提高電源設(shè)計的效率。
降壓電路中的電感設(shè)計非常關(guān)鍵，它與系統(tǒng)效率、輸出電壓紋波（?VOUT）和環(huán)路穩(wěn)定性密切相關(guān)。本文將以 MPQ2314為例說明如何計算降壓變換器的電感，以及其他關(guān)鍵參數(shù)，如電感溫升電流、飽和電流直流電阻、工作頻率和磁損耗等。
定制一款合適的共模電感需要綜合考慮客戶的使用需求、材料與結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)、安規(guī)要求、環(huán)境因素以及性能測試與優(yōu)化等多個方面。通過科學(xué)的分析和合理設(shè)計，才能確保定制出的共模電感能夠滿足實際應(yīng)用需求。
電感器作為一種重要的無源元件，廣泛應(yīng)用于各種電源回路中。而電感Q值（Quality Factor）作為衡量電感器性能的關(guān)鍵參數(shù)，其重要性不言而喻。本文將帶您重新認(rèn)識電感Q值，探討其計算方法及影響Q值的因素。
EMI 包括兩種類型：傳導(dǎo) EMI 和輻射 EMI。傳導(dǎo) EMI 通過物理接觸傳播（通過電纜或其他導(dǎo)體到達(dá)接收設(shè)備），而輻射 EMI 噪聲不需要物理接觸，通過開放空間傳播到接收設(shè)備。 本文將討論輻射 EMI 以及預(yù)測輻射 EMI 的建模方法。參閱本系列之上篇可以了解傳導(dǎo) EMI 的更多信息。
EMI 通過兩種路徑在電子電路中傳播：傳導(dǎo) EMI 和輻射 EMI。傳導(dǎo) EMI 通過電纜或其他有物理接觸的導(dǎo)體傳輸?shù)绞苡绊懙脑O(shè)備；而輻射 EMI 噪聲則通過開放空間（無物理接觸）傳輸。 根據(jù)傳播路徑的不同，本系列文章將在上篇討論傳導(dǎo) EMI，在下篇中討論輻射 EMI。